AS1J-HF
Comchip Technology
Deutsch
Artikelnummer: | AS1J-HF |
---|---|
Hersteller / Marke: | Comchip Technology |
Teil der Beschreibung.: | DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC |
Datenblätte: |
|
RoHs Status: | ROHS3 -konform |
ECAD -Modell: | |
Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
Aktie: |
Ship From: Hong Kong
Anzahl | Einzelpreis |
---|---|
5000+ | $0.046 |
Online -RFQ -Einreichungen: Schnelle Antworten, bessere Preise!
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
---|---|
Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.1 V @ 1 A |
Spannung - Sperr (Vr) (max) | 600 V |
Technologie | Standard |
Supplier Device-Gehäuse | DO-214AC (SMA) |
Geschwindigkeit | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Serie | Automotive, AEC-Q101 |
Verpackung / Gehäuse | DO-214AC, SMA |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
---|---|
Paket | Tape & Reel (TR) |
Betriebstemperatur - Anschluss | -55°C ~ 150°C |
Befestigungsart | Surface Mount |
Strom - Sperrleckstrom @ Vr | 5 µA @ 600 V |
Strom - Richt (Io) | 1A |
Kapazität @ Vr, F | - |
Grundproduktnummer | AS1J |
DIODE AVALANCHE 100V 1.5A DO220
DIODE AVAL 100V 1.5A DO220AA
DIODE AVALANCHE 1KV 1.5A DO219AB
DIODE AVALANCHE 1KV 1.5A DO219AB
DIODE AVAL 800V 1.5A DO219AB
N-CHANNEL SILICON CARBIDE POWER
DIODE AVAL 600V 1.5A DO219AB
DIODE AVALANCHE 100V 1.5A DO220
N-CHANNEL SILICON CARBIDE POWER
N-CHANNEL SILICON CARBIDE POWER
DIODE AVAL 800V 1.5A DO219AB
DIODE AVALANCHE 1KV 1.5A DO219AB
DIODE AVAL 800V 1.5A DO219AB
DIODE GEN PURP 800V 1A DO214AC
DIODE AVAL 100V 1.5A DO220AA
DIODE GEN PURP 1KV 1A DO214AC
N-CHANNEL SILICON CARBIDE POWER
DIODE AVAL 800V 1.5A DO219AB
DIODE AVALANCHE 1KV 1.5A DO219AB
DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC
2024/07/11
2024/04/18
2023/12/20
2024/05/28
AS1J-HFComchip Technology |
Anzahl*
|
Zielpreis (USD)
|